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英飞凌发布面向EV和HEV的高速开关应用的650V IGBT系列

导读: 英飞凌科技股份公司今日发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。该系列TRENCHSTOP?5 AUTO IGBT符合AEC-Q 标准,可降低诸如车载充电、功率因数校正、直流/直流和直流/交流转换等电动汽车和混合动力汽车应用的功率损耗并提高其可靠性。

  2015年3月2日,德国慕尼黑--英飞凌科技股份公司发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。该系列TRENCHSTOP5 AUTO IGBT符合AEC-Q 标准,可降低诸如车载充电、功率因数校正(PFC)、直流/直流和直流/交流转换等电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)应用的功率损耗并提高其可靠性。

英飞凌发布面向EV和HEV的高速开关应用的650V IGBT系列

  全新IGBT系列阻断电压比前代汽车级IGBT高50V,此外,得益于英飞凌TRENCHSTOP5薄晶圆技术,该系列产品达到同类最佳效率。与现有的尖端技术相比,全新IGBT的饱和电压(VCE(sat))降低了200mV,开关损耗减半,并且栅极电荷降低2.5倍。同时,由于开关损耗和导通损耗双双降低,与替代技术相比,全新IGBT系列在相同的应用中结温和外壳温度更低。这不仅提高了器件的可靠性,而且最大程度降低了冷却需求。

  通过使用TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT,电动汽车设计师可实现器件效率提升所带来的额外优势,即能够延长续航里程或缩小电池尺寸。对混合动力汽车来说,效率提高意味着降低总燃油消耗和减少二氧化碳排放。另外,TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT器件的卓越性能使得其能进入目前主要采用MOSFET技术的应用,并为设计师提供基于不同半导体芯片技术的广泛选择。

  TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT系列器件的额定电流为40A或50A,有单一分立式IGBT和可与英飞凌超快“Rapid”硅二极管共同封装的IGBT两种产品。对于这两种产品中的任何一种,英飞凌均能提供H5 HighSpeed和F5 HighSpeed FAST两个系列产品,这取决于优化开关速度和实现最高效率是否为首要设计标准。

  效率提升优势示例

  对用于车载充电器的典型PFC电路来说,以TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT替代当前尖端技术已经表明效率从97.5%提升至97.9%。如果是3.3kW 充电器,这相当于功率损失降低13W。假设充电时间为5小时,这相当于每个充电周期二氧化碳排放减少30g。

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